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mos管d4184a参数

如果是AOD4184A场效应管的参数话,见下:

mos管嘛也是场效应管的一种,分结型和绝缘栅型,结型和绝缘栅型又各分为nmos和pmos,然后pmos+nmos=cmos.p和n的原理相同,只是电源极性相反. 主要参数记住以下几点: idss :饱和漏源电流,是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管

是指MOS类型,分别有N沟道与P沟道..上图中两种管子都是:N沟道MOS管

5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流4.5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V, 功耗:33W,工作温度范围:-55°C to +150°C,封装类型:TO-220F,功率, Pd:33W,封装类型:TO-220F,常用于开关电源中作开关管.

场效应管FB41N15D的参数 150v 41A 200W N/阻 查看原帖>>

vdss60V RDS(on) typ.2.4m id 210A (Package Limited)120A 我怀疑驱动上升速率太慢导致烧了

G:gate 栅极 S:source 源极 D:drain 漏极 MOS管是金属(Metal)氧化物(Oxid)半导体(Semiconductor)场效应晶体管.市面上常有的一般为N沟道和P沟道.N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D.

这个主要是看你用在什么上面,然后根据你的应用选择参数.一般来说,考虑的参数是Vds,Ids以及Rds这三个,还有有的会考虑Ciss这个参数的,希望能帮到你.还有其他疑问的话,可以选择追问

15N03用在CPU供电好象没有吧,有些在内存供电或是北桥供电上 显卡上也有的 15是15A电流,03是30V电压,可以用比这个前面数字更大的管子代替,比如45N03 IRF3205PBF 详细技术参数 Parameter Value Package TO-220AB Circuit

银联宝电子的MOS管主要参数: 1.开启电压VT 开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; 标准的N沟道MOS管,VT

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