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半导体开关速度最快的是

gto一般最高只能做到几百hz,但功率较大,已达到3000a、4500v的容量.scr 的频率一般不超过10khz,电流可以到几千a,电压6000v以上.gtr目前其额定值已达1800v/800a/2khz、1400v/600a/5khz、600v/3a/100khz.igbt的频率一般不会超过100khz,但高频性能比gtr好.mosfet 的频率理论上可以做到1mhz(1000khz),应用范围比较多的频率段应该为几百khz左右.所以排序大概为:gto<scr<gtr<igbt<mosfet 另外,设计电路中选择功率器件不能只考虑频率,还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级,所以说这是个折衷考虑的结果.

提高半导体三极管开关速度的关键是缩短开关时间,即延迟时间、上升时间、存储时间,下降时间.

d 半导体ram(内存储器)

下列各存储器中,存取速度最快的是(B) A.CD-ROM B.内存储器 C.软盘 D.硬盘

为了更好的解答您的问题,首先接触一部分能带论的知识(定性的了解一下即可,不必深究)从能带角度来看,物体存在一个导带,一个价带.在其中可以容纳电子.如果在导带中存在电子(从另一个方面来说,就是假带中存在空穴,空穴就是

访问速度最快的是[D半导体RAM(内存存储器)]

CPU缓存,速度达到CPU的频率缓存的出现主要是为了解决CPU运算速度与内存读写速度不匹配的矛盾,因为CPU运算速度要比内存读写速度快很多,这样会使CPU花费很长时间等待数据到来或把数据写入内存.在缓存中的数据是内存中的一小部分,但这一小部分是短时间内CPU即将访问的,当CPU调用大量数据时,就可避开内存直接从缓存中调用,从而加快读取速度.

一般来说金属接近开关即电感接近开关相应速度和相应频率都比光电的要高一些.

RAM是最快的

就分立元件而言,是三极管的速度快,一般的产品目录上三极管都标注其带宽,而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数. 有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间,这就是它的开关速度参数. 我这里有三极管MMBT2222A的数据手册,从中截下一部分你看看

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